【jinnianhui.com科技】正如石油是現(xiàn)代工業(yè)體系的血液，存儲芯片已成為數(shù)字時代科技生態(tài)不可或缺的基石。然而，2025年下半年以來，全球存儲芯片市場掀起了一場“史詩級”漲價潮。自9月起，DRAM與NAND Flash的現(xiàn)貨價格累計漲幅已超過300%。此輪暴漲主要由人工智能領域“以存代算”技術路線的興起所驅動——大量的大模型訓練對高帶寬、大容量存儲芯片提出了空前需求，導致行業(yè)產能緊張、供需失衡。
受此影響，多家手機廠商高管已公開預警：自2025年底起，搭載大容量存儲的新品將普遍提價，這一趨勢預計將延續(xù)至2026年甚至更遠。聯(lián)想、戴爾等全球前五大PC廠商均已確認將上調產品售價，漲價幅度普遍在10%至30%之間。消費電子行業(yè)或將迎來新一輪價格調整周期。
然而，塞翁失馬，焉知非福。在挑戰(zhàn)之中亦蘊藏機遇——存儲芯片價格的飆升，也在為長江存儲等國產廠商創(chuàng)造寶貴的市場窗口。
jinnianhui.com特此推出“'芯'價狂飆”深度專題，而本篇文章，將聚焦于“國產存儲芯片企業(yè)的機遇”。
近年來，在多重因素推動下，中國高科技產業(yè)加速推進自主可控進程，半導體領域尤甚。作為人類科技高度凝結的產物，半導體產業(yè)中，存儲芯片是其最大分支之一。當前，全球存儲芯片市場面臨供應短缺，疊加需求回暖，為國產企業(yè)提供了難得的發(fā)展契機。
市場格局：巨頭主導，國產初露鋒芒
存儲芯片作為用于數(shù)據存儲的核心電子元件，主要分為易失性存儲（如DRAM、SRAM）和非易失性存儲（如NAND Flash、NOR Flash）兩大類。這類芯片通常通過ASIC或FPGA技術集成存儲控制器與協(xié)議管理功能，廣泛應用于工業(yè)控制、云計算、智能終端以及AI服務器等關鍵領域。
從市場結構看，2024年全球存儲芯片細分市場中，DRAM占比達58.26%；NAND Flash緊隨其后，占比為41.68%。
而在市場份額方面，全球DRAM市場高度集中，三星、SK海力士和美光三大海外廠商合計占據93%的份額，分別為36.5%、35%和21.5%；相比之下，國內廠商長鑫存儲僅占約5%，只能算是初步形成一定競爭力。而在NAND Flash領域，三星同樣以33.5%的市占率位居第一，SK海力士以19%位列第二；好在，國產代表企業(yè)長江存儲近年來持續(xù)取得突破，市場份額達到5%。
整體來看，在這次存儲芯片漲價潮到來之前，盡管國際巨頭仍牢牢掌控市場主導權，但中國存儲芯片企業(yè)已開始在全球舞臺上嶄露頭角。
國產雙雄：九年躋身全球一流
從當前市場格局可見，在DRAM與NAND Flash兩大核心存儲芯片領域，中國均已涌現(xiàn)出具有全球競爭力的本土企業(yè)。長江存儲與長鑫存儲雖成立時間不長，但發(fā)展速度驚人。
長江存儲成立于2016年7月，總部位于武漢，是中國唯一一家專注于3D NAND閃存設計、制造一體化的IDM企業(yè)；而長鑫存儲則于2017年11月在安徽合肥成立，是中國大陸目前唯一實現(xiàn)DRAM芯片大規(guī)模量產的企業(yè)。盡管起步較晚，但兩家公司已迅速構建起扎實的技術儲備。
在技術層面，國產存儲芯片正快速縮小與國際巨頭的差距。長江存儲已量產的232層TLC NAND芯片采用創(chuàng)新的雙層堆疊架構，實現(xiàn)等效294層密度，接口速率高達3600MT/s，良率穩(wěn)定在95.2%，并已向全球客戶批量出貨。其下一代300層堆疊技術也已處于研發(fā)階段。2025年11月，長鑫存儲發(fā)布了多款高端DRAM產品，包括速率達8000Mbps的DDR5和10667Mbps的LPDDR5X，以及完整的內存模組系列，關鍵性能指標已全面對標三星、美光等國際一線廠商。
產能擴張方面，兩家企業(yè)的步伐同樣迅猛。長江存儲當前月產能已接近13萬片晶圓，約占全球NAND總產能的8%，并力爭到2026年底占據全球15%的市場份額。長鑫存儲則預計在2025年底將DRAM月產能提升至30萬片，增長近50%。據Counterpoint預測，其今年DDR5市場份額將躍升至7%，LPDDR5份額也將從一季度的0.5%增至年底的9%。盡管與三星約70萬片/月的DRAM產能仍有較大差距，但現(xiàn)有產能已足以支撐國內中低端PC、智能手機及工業(yè)控制等關鍵應用市場。
有業(yè)內人士透露，受益于長鑫存儲等企業(yè)的快速成長，中國在全球DRAM市場的整體份額有望在2025年實現(xiàn)同比翻倍，達到10%，標志著國產存儲芯片正從可用邁向主流。
現(xiàn)實困境：良率與設備仍是“卡脖子”關卡
盡管國產存儲芯片企業(yè)正迎來難得的市場窗口期，但其發(fā)展仍受制于關鍵設備與材料的“卡脖子”難題。
目前，關鍵的EUV設備因美國出口管制無法進入中國市場。與此同時，來自日本東京電子和美國泛林集團的刻蝕機、薄膜沉積設備也處于供應緊張狀態(tài)，難以滿足國內廠商快速擴產的需求。在材料方面，JSR、信越化學的高端光刻膠以及德國默克的ALD前驅體等核心原材料，國產化率尚不足30%，且在純度、一致性和穩(wěn)定性上與國際先進水平仍有明顯差距。
良率問題則是另一大瓶頸。當前國產DDR5顆粒的平均良率約為65%，而三星等國際龍頭已穩(wěn)定在85%以上。這意味著在相同投片量下，國產廠商有近四成晶圓成本直接浪費，成本劣勢顯著。更高端的HBM（高帶寬內存）技術門檻更高，涉及3D堆疊、TSV硅通孔、高效散熱等復雜工藝，目前國內尚無量產能力，業(yè)內普遍預計2027年前難以打破三星、SK海力士與美光三巨頭的壟斷格局。
據媒體報道，芯謀研究首席分析師顧文軍曾指出，若國產廠商不能在本輪漲價周期內將良率提升至80%以上，并將臨時客戶轉化為長期訂單，一旦海外巨頭完成新一輪擴產，過剩產能回流消費市場，國產企業(yè)恐將再度被擠壓回低端領域。
行業(yè)普遍認為，2025–2027年是國產存儲的“三年戰(zhàn)略窗口”。若能趁此周期完成三大任務——良率突破80%、客戶訂單長期化、供應鏈自主化，則有望在2027年后沖擊全球前三。
寫在最后
海外存儲巨頭的“芯慌”，本質是技術路線切換與產能錯配的暫時性失衡。而國產企業(yè)的真正考驗，不在于能否在漲價潮中分一杯羹，而在于能否將短期價差優(yōu)勢轉化為長期技術+生態(tài)壁壘。
歷史經驗表明，半導體行業(yè)的競爭，從來不是一場百米沖刺，而是一場跨越十年的馬拉松。長江存儲與長鑫存儲已經跑出了第一步，但要真正站上全球舞臺中央，還需在良率、設備、人才、生態(tài)上持續(xù)深耕。
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